
针脚数 8
漏源极电阻 0.021 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 1.9 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 6A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 955pF @20VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.575 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management, Automotive
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDS8949_F085 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8949_F085 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 40 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDS8949_F085 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOIC Dual N-Channel 40V 6A | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8949_F085 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 40 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V | 当前型号 | |
型号: FDS8949 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOIC N-Channel 40V 6A 21mohms 955pF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8949 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 40 V, 29 mohm, 10 V, 1.9 V | FDS8949_F085和FDS8949的区别 |