FESB8AT-E3/81中文资料参数规格
技术参数
正向电压 950mV @8A
反向恢复时间 35 ns
正向电流 8 A
正向电压Max 950mV @8A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.45 mm
宽度 9.14 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FESB8AT-E3/81引脚图与封装图
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在线购买FESB8AT-E3/81
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FESB8AT-E3/81 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode Switching 50V 8A 3Pin2+Tab TO-263AB T/R | 搜索库存 |
替代型号FESB8AT-E3/81
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FESB8AT-E3/81 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： | 当前型号 | Diode Switching 50V 8A 3Pin2+Tab TO-263AB T/R | 当前型号 |
| 型号： FESB8ATHE3/81 品牌： 威世 封装： TO-263AB | 完全替代 | Diode Switching 50V 8A 3Pin2+Tab TO-263AB T/R | FESB8AT-E3/81和FESB8ATHE3/81的区别 |
| 型号： GIB1401HE3/81 品牌： 威世 封装： TO-263-3 | 类似代替 | Diode Switching 50V 8A 3Pin2+Tab TO-263AB T/R | FESB8AT-E3/81和GIB1401HE3/81的区别 |