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FDMC7208S
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

PowerTrench® SyncFET™ 双 MOSFET,Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

* Q1: N-Channel * Max r DSon = 9.0 m Ω at V GS = 10 V, ID = 12 A * Max r DSon = 11.0 m Ω at V GS = 4.5 V, ID = 11 A * Q2: N-Channel * Max r DSon = 6.4 m Ω at V GS = 10 V, ID = 16 A * Max r DSon = 7.5 m Ω at V GS = 4.5 V, ID = 13.5 A * Termination is Lead-free and RoHS Compliant


贸泽:
MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 12A/16A 8-Pin Power 33 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 12A/16A 8-Pin Power 33 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 12A/16A 8-Pin Power 33 T/R


FDMC7208S中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

极性 N-CH

耗散功率 1.9 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 12A/16A

输入电容Ciss 1130pF @15VVds

额定功率Max 800 mW

下降时间 2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.9 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-33-8

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 3 mm

高度 0.75 mm

封装 Power-33-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FDMC7208S引脚图与封装图
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在线购买FDMC7208S
型号 制造商 描述 购买
FDMC7208S Fairchild 飞兆/仙童 PowerTrench® SyncFET™ 双 MOSFET,Fairchild Semiconductor 设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存