FDW256P
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDW256P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -8.00 A
漏源极电阻 13.5 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1.3W Ta
漏源极电压Vds 30 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
输入电容Ciss 2267pF @15VVds
额定功率Max 600 mW
耗散功率Max 1.3W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSSOP-8
外形尺寸
封装 TSSOP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDW256P引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDW256P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDW256P | Fairchild 飞兆/仙童 | 30V P沟道PowerTrench MOSFET 30V P-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDW256P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDW256P 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TSSOP P-Channel 30V 8A 13.5mohms | 当前型号 | 30V P沟道PowerTrench MOSFET 30V P-Channel PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： TPS1100D 品牌： 德州仪器 封装： SOIC P-Channel -15V -1.6A 180mohms | 功能相似 | 单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS | FDW256P和TPS1100D的区别 |
| 型号： TPS1100DR 品牌： 德州仪器 封装： SOIC P-Channel -15V 1.6A | 功能相似 | 单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS | FDW256P和TPS1100DR的区别 |
| 型号： SI4403CDY-T1-GE3 品牌： Vishay Intertechnology 封装： | 功能相似 | Small Signal Field-Effect Transistor, 13.4A ID, 20V, 1Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8 | FDW256P和SI4403CDY-T1-GE3的区别 |