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FDD86252
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD86252  晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 150 V, 0.041 ohm, 10 V, 3.1 V

The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance.

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Shielded gate MOSFET technology
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100% UIL tested
FDD86252中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.041 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 89 W

阈值电压 3.1 V

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 5A

输入电容Ciss 985pF @75VVds

额定功率Max 3.1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1W Ta, 89W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

FDD86252引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDD86252 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD86252  晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 150 V, 0.041 ohm, 10 V, 3.1 V 搜索库存
替代型号FDD86252
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDD86252

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-252 N-Channel 150V 5A

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD86252  晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 150 V, 0.041 ohm, 10 V, 3.1 V

当前型号

型号: IPD530N15N3GATMA1

品牌: 英飞凌

封装: TO-252-3 N-Channel 150V 21A

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FDD86252和IPD530N15N3GATMA1的区别