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FDD2582
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD2582  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 150 V, 0.058 ohm, 10 V, 4 V

The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s PowerTrench® process. It is suitable for use in high voltage synchronous rectification, electronic valve train system, DC-to-DC converters and off-line UPS application.

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Low miller charge
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Low Qrr body diode
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UIS Capability single pulse and repetitive pulse
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AEC-Q101 Qualified
FDD2582中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 150 V

额定电流 21.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.058 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 95 W

阈值电压 4 V

输入电容 1.29 nF

栅电荷 19.0 nC

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 21.0 A

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 1295pF @25VVds

额定功率Max 95 W

下降时间 19 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 95 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDD2582引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDD2582 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD2582  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 150 V, 0.058 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存