
针脚数 8
漏源极电阻 0.0056 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 104 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 13.6A
输入电容Ciss 6940pF @30VVds
额定功率Max 2.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 104W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-56-8
封装 Power-56-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDMS5352 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS5352 晶体管, MOSFET, N沟道, 13.6 A, 60 V, 0.0056 ohm, 10 V, 1.8 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDMS5352 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: Power N-Channel 60V 13.6A | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS5352 晶体管, MOSFET, N沟道, 13.6 A, 60 V, 0.0056 ohm, 10 V, 1.8 V | 当前型号 | |
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型号: BSC100N06LS3 G 品牌: 英飞凌 封装: TDSON-8 N-Channel | 功能相似 | MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | FDMS5352和BSC100N06LS3 G的区别 |