FQPF7N65CYDTU
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQPF7N65CYDTU中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 1.4 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 52 W
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 7.00 A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 1245pF @25VVds
额定功率Max 52 W
下降时间 55 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 52W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQPF7N65CYDTU引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| FQPF7N65CYDTU | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3Pin3+Tab TO-220F Rail | 搜索库存 |