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FJA13009TU

FJA13009TU

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FJA13009TU  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 4 MHz, 130 W, 12 A, 6 hFE

The is a 400V NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor designed for high speed switching and suitable for switching regulator, motor controls and high voltage switch mode applications. This product is general usage and suitable for many different applications.


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双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Sil Transistor


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# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FJA13009TU  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 400 V, 4 MHz, 130 W, 12 A, 6 hFE


Win Source:
TRANS NPN 400V 12A TO-3P


FJA13009TU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 400 V

额定电流 12.0 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 130 W

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 12A

最小电流放大倍数hFE 8 @5A, 5V

最大电流放大倍数hFE 40

额定功率Max 130 W

直流电流增益hFE 6

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 130 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.8 mm

宽度 5 mm

高度 20.1 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FJA13009TU引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FJA13009TU Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FJA13009TU  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 4 MHz, 130 W, 12 A, 6 hFE 搜索库存