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FQB5N60CTM

FQB5N60CTM

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

N沟道 600V 4.5A

N-Channel 600 V 4.5A Tc 3.13W Ta, 100W Tc Surface Mount D²PAK TO-263AB


立创商城:
N沟道 600V 4.5A


得捷:
4.5A, 600V, 2OHM, N CHANNEL , D2


贸泽:
MOSFET N-CH/600V/5A/QFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


FQB5N60CTM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 5.00 A

漏源极电阻 2.00 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.13 W

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

上升时间 42 ns

输入电容Ciss 670pF @25VVds

额定功率Max 3.13 W

下降时间 46 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.13W Ta, 100W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FQB5N60CTM引脚图与封装图
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