FDS6673BZ_F085
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS6673BZ_F085中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 P-CH
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 14.5A
输入电容Ciss 4700pF @25VVds
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDS6673BZ_F085引脚图与封装图
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在线购买FDS6673BZ_F085
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS6673BZ_F085 | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8Pin SOIC N T/R | 搜索库存 |
替代型号FDS6673BZ_F085
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS6673BZ_F085 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC-8 P-CH 30V 14.5A | 当前型号 | Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8Pin SOIC N T/R | 当前型号 |
| 型号： FDS6673AZ 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC P-Channel 30V 14.5A 6mohms 4.48nF | 类似代替 | 30伏P沟道PowerTrench MOSFET 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET | FDS6673BZ_F085和FDS6673AZ的区别 |