FQU3N40TU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQU3N40TU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 400 V
额定电流 2.00 A
漏源极电阻 3.40 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta, 30W Tc
漏源极电压Vds 400 V
漏源击穿电压 400 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 2.00 A
输入电容Ciss 230pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
耗散功率Max 2.5W Ta, 30W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FQU3N40TU引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQU3N40TU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQU3N40TU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-251 N-Channel 400V 2A 3.4ohms | 当前型号 | N沟道 400V 2A | 当前型号 |
| 型号： IRFU310BTU 品牌： 飞兆/仙童 封装： IPAK N-Channel 400V 1.7A 2.7Ω | 功能相似 | N沟道 400V 1.7A | FQU3N40TU和IRFU310BTU的区别 |
| 型号： FQU3N40 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET | FQU3N40TU和FQU3N40的区别 |
| 型号： U310 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | SFET RF ， VHF ， UHF ， Amplitiers SFET RF,VHF, UHF, Amplitiers | FQU3N40TU和U310的区别 |