FDS86242
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS86242中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0563 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 4.1A
上升时间 1.5 ns
输入电容Ciss 760pF @75VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 2.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 5W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4 mm
宽度 5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
FDS86242引脚图与封装图
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在线购买FDS86242
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS86242 | Fairchild 飞兆/仙童 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
替代型号FDS86242
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS86242 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 150V 4.1A | 当前型号 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 |
| 型号： SI4848DY-T1-GE3 品牌： 威世 封装： 8-SOIC N-Channel 150V 2.7A 85mΩ | 功能相似 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 150 V, 0.068 ohm, 10 V, 2 V | FDS86242和SI4848DY-T1-GE3的区别 |