FDS8984_F085
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS8984_F085中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 1.6 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 7A
输入电容Ciss 635pF @15VVds
额定功率Max 1.6 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.575 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDS8984_F085引脚图与封装图
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在线购买FDS8984_F085
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS8984_F085 | Fairchild 飞兆/仙童 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
替代型号FDS8984_F085
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS8984_F085 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： 8-SOIC N-CH 30V 7A | 当前型号 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 |
| 型号： FDS8984 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC Dual N-Channel 30V 7mA 19mohms 635pF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8984 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.7 V | FDS8984_F085和FDS8984的区别 |