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FDD6770A
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A, Semiconductor


立创商城:
N沟道 25V 24A 50A


欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 27A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 25V 27A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 25V 24A DPAK


FDD6770A中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3.7W Ta, 65W Tc

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 27A

输入电容Ciss 2405pF @13VVds

额定功率Max 3.7 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.7W Ta, 65W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FDD6770A引脚图与封装图
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在线购买FDD6770A
型号 制造商 描述 购买
FDD6770A Fairchild 飞兆/仙童 PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存