FDMC8296

Fairchild 飞兆/仙童分立器件

N沟道功率MOSFET Trench㈢ 30V ， 18A ， 8.0米ヘ N-Channel Power Trench㈢ MOSFET 30V, 18A, 8.0mヘ

N-Channel 30 V 12A Ta, 18A Tc 2.3W Ta, 27W Tc Surface Mount 8-MLP 3.3x3.3

得捷:
MOSFET N-CH 30V 12A/18A 8MLP

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin Power 33 T/R

富昌:
N-Channel 30 V 8 mΩ 23 nC SMT PowerTrench® Mosfet - MLP 3.3x3.3

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 12A POWER33

FDMC8296中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 2.3W Ta, 27W Tc

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 12A

输入电容Ciss 1385pF @15VVds

额定功率Max 2.3 W

耗散功率Max 2.3W Ta, 27W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Power-33-8

外形尺寸

宽度 3.3 mm

封装 Power-33-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FDMC8296引脚图与封装图

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FDMC8296	Fairchild 飞兆/仙童	N沟道功率MOSFET Trench㈢ 30V ， 18A ， 8.0米ヘ N-Channel Power Trench㈢ MOSFET 30V, 18A, 8.0mヘ	搜索库存