FDMS86520
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDMS86520中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 14A
上升时间 6.7 ns
输入电容Ciss 2850pF @30VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 69W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-56-8
外形尺寸
长度 5.1 mm
宽度 6.25 mm
高度 1.05 mm
封装 Power-56-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDMS86520引脚图与封装图
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在线购买FDMS86520
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDMS86520 | Fairchild 飞兆/仙童 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
替代型号FDMS86520
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDMS86520 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： Power-56-8 N-CH 60V 14A | 当前型号 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 |
| 型号： FDMS86520L 品牌： 飞兆/仙童 封装： Power N-Channel 60V 13.5A | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS86520L 晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 60 V, 0.0067 ohm, 10 V, 1.8 V | FDMS86520和FDMS86520L的区别 |