锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
FQP22N30

FQP22N30

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP22N30  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 300 V, 160 mohm, 10 V, 5 V

The is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Semiconductor"s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction PFC and electronic lamp ballasts.

.
100% Avalanche tested
.
47nC Typical low gate charge
.
40pF Typical low Crss
FQP22N30中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 300 V

额定电流 21.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 160 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 170 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 300 V

漏源击穿电压 300 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 21.0 A

上升时间 230 ns

输入电容Ciss 2200pF @25VVds

额定功率Max 170 W

下降时间 100 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 170W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.1 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQP22N30引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FQP22N30
型号 制造商 描述 购买
FQP22N30 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP22N30  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 300 V, 160 mohm, 10 V, 5 V 搜索库存