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FDMS7660
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FDMS7660中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0019 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 1.9 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 25A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 5565pF @15VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 78W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-56-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 6 mm

高度 1.05 mm

封装 Power-56-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

FDMS7660引脚图与封装图
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在线购买FDMS7660
型号 制造商 描述 购买
FDMS7660 Fairchild 飞兆/仙童 MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存
替代型号FDMS7660
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDMS7660

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: PQFN N-Channel 30V 25A

当前型号

MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

当前型号

型号: BSC030N03LSGATMA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 30V 23A

功能相似

INFINEON  BSC030N03LSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 2.5 mohm, 10 V, 1 V

FDMS7660和BSC030N03LSGATMA1的区别

型号: BSC0902NSATMA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 30V 24A

功能相似

INFINEON  BSC0902NSATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 1.2 V

FDMS7660和BSC0902NSATMA1的区别

型号: CSD17553Q5A

品牌: 德州仪器

封装: VSON-FET-8 N-CH 30V 23.5A

功能相似

N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD17553Q5A

FDMS7660和CSD17553Q5A的区别