FQI2N90TU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQI2N90TU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 900 V
额定电流 2.20 A
通道数 1
漏源极电阻 7.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.13 W
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 2.20 A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 500pF @25VVds
额定功率Max 3.13 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3.13W Ta, 85W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.29 mm
宽度 4.83 mm
高度 7.88 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FQI2N90TU引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQI2N90TU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQI2N90TU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-262 N-Channel 900V 2.2A 7.2ohms | 当前型号 | N沟道 900V 2.2A | 当前型号 |
| 型号： IRFBF20LPBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-262 | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3Pin3+Tab TO-262 | FQI2N90TU和IRFBF20LPBF的区别 |
| 型号： IRFBF20L 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-262 900V 1.7A | 功能相似 | MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262 | FQI2N90TU和IRFBF20L的区别 |
| 型号： FQI2N90 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET | FQI2N90TU和FQI2N90的区别 |