FDD5690
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD5690中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 30.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.023 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.2 W
阈值电压 2.5 V
输入电容 1.11 nF
栅电荷 23.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 9.00 A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 1110pF @25VVds
额定功率Max 1.3 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.2W Ta, 50W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDD5690引脚图与封装图
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在线购买FDD5690
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDD5690 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD5690 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 60 V, 23 mohm, 10 V, 2.5 V | 搜索库存 |
替代型号FDD5690
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDD5690 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 60V 9A 23mohms 1.11nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD5690 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 60 V, 23 mohm, 10 V, 2.5 V | 当前型号 |
| 型号： HUF76423D3S 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 60V 20A 27mohms | 类似代替 | 20A ， 60V ， 0.037 Ohm的N通道，逻辑电平UltraFET电源MOSFETFairchild 20A, 60V, 0.037 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETFairchild | FDD5690和HUF76423D3S的区别 |
| 型号： NTD32N06G 品牌： 安森美 封装： TO-252 N-Channel 60V 32A 26mohms 1.72nF | 功能相似 | 60V,32A,N沟道MOSFET | FDD5690和NTD32N06G的区别 |
| 型号： NTD5413NT4G 品牌： 安森美 封装： TO-252-3 N-Channel 60V 30A | 功能相似 | 30A,20V,N沟道MOSFET | FDD5690和NTD5413NT4G的区别 |