锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

FDM3622
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDM3622  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.4 A, 100 V, 0.044 ohm, 10 V, 4 V

UltraFET® MOSFET, Semiconductor

UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量,且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。

应用:高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4


欧时:
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDM3622, 4.4 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 4.4A 8-Pin MicroFET T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 4.4A 8-Pin MicroFET T/R


富昌:
FDM3622 系列 100 V 60 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet Power 33


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 4.4A 8-Pin MicroFET T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDM3622  MOSFET Transistor, N Channel, 4.4 A, 100 V, 0.044 ohm, 10 V, 4 V


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 4.4A POWER33


FDM3622中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 4.40 A

针脚数 8

漏源极电阻 0.044 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.1 W

阈值电压 4 V

输入电容 820 pF

栅电荷 13.0 nC

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 4.40 A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 1090pF @25VVds

额定功率Max 900 mW

下降时间 26 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 MLP-8

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 2 mm

高度 0.95 mm

封装 MLP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDM3622引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDM3622
型号 制造商 描述 购买
FDM3622 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDM3622  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.4 A, 100 V, 0.044 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存