FQPF2N80
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQPF2N80中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 800 V
额定电流 1.50 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 6.3 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 35 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 1.50 A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 550pF @25VVds
额定功率Max 35 W
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 35W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.16 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.19 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQPF2N80引脚图与封装图
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在线购买FQPF2N80
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQPF2N80 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF2N80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 800 V, 6.3 ohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
替代型号FQPF2N80
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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