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FDPF770N15A

FDPF770N15A

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

N-Channel 150 V 10A Tc 21W Tc Through Hole TO-220F-3


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1


欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 3-Pin3+Tab TO-220F Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail


富昌:
150V 77MOHM TO220F 3L SINGLE GAGE GREEN EMC


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 150V 10A 3-Pin3+Tab TO-220F Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 150V 10A TO-220F


FDPF770N15A中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 20 W

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 765pF @75VVds

额定功率Max 21 W

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 21W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220F-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.9 mm

高度 16.07 mm

封装 TO-220F-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FDPF770N15A引脚图与封装图
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FDPF770N15A Fairchild 飞兆/仙童 PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存