FDS5680
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS5680中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 8.00 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.02 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 2.5 V
输入电容 1.85 nF
栅电荷 30.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 1850pF @15VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 32 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS5680引脚图与封装图
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在线购买FDS5680
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS5680 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS5680 晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 60 V, 20 mohm, 10 V, 2.5 V | 搜索库存 |
替代型号FDS5680
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS5680 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 60V 8A 20mohms 1.85nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS5680 晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 60 V, 20 mohm, 10 V, 2.5 V | 当前型号 |
| 型号： STS7NF60L 品牌： 意法半导体 封装： SOIC N-Channel 60V 7.5A 17mohms 1.7nF | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STS7NF60L 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 60 V, 0.017 ohm, 10 V, 1 V | FDS5680和STS7NF60L的区别 |
| 型号： FDS5690_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | N-Channel PowerTrench MOSFET | FDS5680和FDS5690_NL的区别 |