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FQI5N60CTU

FQI5N60CTU

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3Pin3+Tab I2PAK Tube

N-Channel 600 V 4.5A Tc 3.13W Ta, 100W Tc Through Hole I2PAK TO-262


得捷:
MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK


贸泽:
MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK


FQI5N60CTU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 5.00 A

漏源极电阻 2.50 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.13 W

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

上升时间 42 ns

输入电容Ciss 670pF @25VVds

额定功率Max 3.13 W

下降时间 46 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.13W Ta, 100W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.9 mm

宽度 4.83 mm

高度 11.05 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQI5N60CTU引脚图与封装图
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