通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0067 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 69 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 13.5A
上升时间 5.6 ns
输入电容Ciss 4615pF @30VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 3.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 69 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-56-8
长度 5 mm
宽度 6 mm
高度 1.05 mm
封装 Power-56-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
FDMS86520L | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS86520L 晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 60 V, 0.0067 ohm, 10 V, 1.8 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: FDMS86520L 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: Power N-Channel 60V 13.5A | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS86520L 晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 60 V, 0.0067 ohm, 10 V, 1.8 V | 当前型号 | |
型号: FDMS86520 品牌: 飞兆/仙童 封装: Power-56-8 N-CH 60V 14A | 类似代替 | PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FDMS86520L和FDMS86520的区别 | |
型号: BSC067N06LS3GATMA1 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 60V 15A | 功能相似 | INFINEON BSC067N06LS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1.7 V | FDMS86520L和BSC067N06LS3GATMA1的区别 | |
型号: BSC076N06NS3G 品牌: 英飞凌 封装: TDSON N-Channel | 功能相似 | Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80VOptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | FDMS86520L和BSC076N06NS3G的区别 |