FQP4N90C
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQP4N90C中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 900 V
额定电流 4.00 A
针脚数 3
漏源极电阻 3.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 140 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 4.00 A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 960pF @25VVds
额定功率Max 140 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 140W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 9.9 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.2 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQP4N90C引脚图与封装图
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在线购买FQP4N90C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQP4N90C | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP4N90C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 900 V, 3.5 ohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
替代型号FQP4N90C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQP4N90C 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 900V 4A 4.2ohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP4N90C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 900 V, 3.5 ohm, 10 V, 5 V | 当前型号 |
| 型号： FQP3N90 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 900V 3.6A 4.25Ω | 类似代替 | 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET | FQP4N90C和FQP3N90的区别 |
| 型号： STP3NK90Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 900V 3A 4.8Ω | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQP4N90C和STP3NK90Z的区别 |