锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

FDD3682_F085

FDD3682_F085

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FDD3682_F085中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 36 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 95 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 5.5A

上升时间 46 ns

输入电容Ciss 1250pF @25VVds

额定功率Max 95 W

下降时间 26 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 95W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDD3682_F085引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDD3682_F085
型号 制造商 描述 购买
FDD3682_F085 Fairchild 飞兆/仙童 PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存
替代型号FDD3682_F085
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDD3682_F085

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-252-3 N-CH 100V 5.5A

当前型号

PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

当前型号

型号: FDD3682

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252 N-Channel 100V 32A 32mohms 1.25nF

类似代替

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD3682  晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 100 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V

FDD3682_F085和FDD3682的区别

型号: NVD6416ANLT4G

品牌: 安森美

封装: TO-252-3 N-CH 100V 19A

功能相似

DPAK N-CH 100V 19A

FDD3682_F085和NVD6416ANLT4G的区别

型号: NVD6415ANLT4G

品牌: 安森美

封装: TO-252-3

功能相似

N沟道功率MOSFET的100 V, 23 A, 56米?逻辑电平 N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 56 m Logic Level

FDD3682_F085和NVD6415ANLT4G的区别