额定电压DC 60.0 V
额定电流 50.0 A
通道数 1
漏源极电阻 22 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.75 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
上升时间 105 ns
输入电容Ciss 1540pF @25VVds
额定功率Max 3.75 W
下降时间 65 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.75W Ta, 120W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FQB50N06TM | Fairchild 飞兆/仙童 | QFET® N 通道 MOSFET,超过 31A,Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FQB50N06TM 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-252-3 N-Channel 60V 50A 22mohms | 当前型号 | QFET® N 通道 MOSFET,超过 31A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 | |
型号: FQB50N06LTM 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-252-3 N-Channel 60V 52.4A 21mohms | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB50N06LTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 52.4 A, 60 V, 0.017 ohm, 10 V, 2.5 V | FQB50N06TM和FQB50N06LTM的区别 | |
型号: STB55NF06T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-263 N-Channel 60V 50A 18mohms | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | FQB50N06TM和STB55NF06T4的区别 | |
型号: PSMN004-60B,118 品牌: 恩智浦 封装: D2PAK N-Channel 60V 75A | 功能相似 | D2PAK N-CH 60V 75A | FQB50N06TM和PSMN004-60B,118的区别 |