锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
FDPF14N30

FDPF14N30

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

300V N沟道MOSFET 300V N-Channel MOSFET

Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using ’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficient switched mode power supplies and active power factor correction.

Features

• 14A, 300V, RDSon = 0.29Ω @VGS = 10 V

• Low gate charge typical 18 nC

• Low Crss typical 17 pF

• Fast switching

• 100% avalanche tested

• Improved dv/dt capability

FDPF14N30中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 290 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 35 W

漏源极电压Vds 300 V

漏源击穿电压 300 V

连续漏极电流Ids 14.0 A

上升时间 105 ns

输入电容Ciss 1060pF @25VVds

额定功率Max 35 W

下降时间 75 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

FDPF14N30引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDPF14N30
型号 制造商 描述 购买
FDPF14N30 Fairchild 飞兆/仙童 300V N沟道MOSFET 300V N-Channel MOSFET 搜索库存
替代型号FDPF14N30
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： FDPF14N30

品牌： Fairchild 飞兆/仙童

封装： TO-220-3 N-Channel 300V 14A 290mohms

当前型号

300V N沟道MOSFET 300V N-Channel MOSFET

当前型号

型号： FQPF14N30

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-220-3 N-Channel 300V 8.5A 290mohms

类似代替

300V N沟道MOSFET 300V N-Channel MOSFET

FDPF14N30和FQPF14N30的区别