FDD86102LZ
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD86102LZ中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.0178 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 54 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 8A
上升时间 2.3 ns
输入电容Ciss 1540pF @50VVds
额定功率Max 3.1 W
下降时间 2.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta, 54W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
FDD86102LZ引脚图与封装图
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在线购买FDD86102LZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDD86102LZ | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD86102LZ 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.0178 ohm, 10 V, 1.5 V | 搜索库存 |
替代型号FDD86102LZ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDD86102LZ 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： DPAK N-Channel 100V 8A | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD86102LZ 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.0178 ohm, 10 V, 1.5 V | 当前型号 |
| 型号： IPD25CN10NGATMA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 100V 35A | 功能相似 | DPAK N-CH 100V 35A | FDD86102LZ和IPD25CN10NGATMA1的区别 |