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FDT86106LZ

FDT86106LZ

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

N-Channel 100 V 3.2A Ta 1W Ta Surface Mount SOT-223-4


得捷:
FDT86106 - N-CHANNEL POWERTRENCH


欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4


FDT86106LZ中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.08 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.2 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 3.2A

输入电容Ciss 315pF @50VVds

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223-4

外形尺寸

长度 3.7 mm

宽度 6.7 mm

高度 1.7 mm

封装 SOT-223-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

FDT86106LZ引脚图与封装图
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FDT86106LZ Fairchild 飞兆/仙童 PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存