FDFS2P106A
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDFS2P106A中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -3.00 A
通道数 1
漏源极电阻 110 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids -3.00 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 714pF @30VVds
额定功率Max 900 mW
下降时间 8.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 900mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDFS2P106A引脚图与封装图 
FDFS2P106A引脚图
FDFS2P106A封装焊盘图
在线购买FDFS2P106A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDFS2P106A | Fairchild 飞兆/仙童 | 集成的60V P沟道PowerTrench MOSFET剖和肖特基二极管 Integrated 60V P-Channel PowerTrench剖 MOSFET and Schottky Diode | 搜索库存 |
替代型号FDFS2P106A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDFS2P106A 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC P-Channel -60V -3A 110mohms | 当前型号 | 集成的60V P沟道PowerTrench MOSFET剖和肖特基二极管 Integrated 60V P-Channel PowerTrench剖 MOSFET and Schottky Diode | 当前型号 |
| 型号： FDFS2P106A_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | Integrated 60V P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode | FDFS2P106A和FDFS2P106A_NL的区别 |