FDS6673BZ
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS6673BZ中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0065 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1.9 V
漏源极电压Vds 30 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 14.5 mA
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 4700pF @15VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 105 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS6673BZ引脚图与封装图 
FDS6673BZ引脚图
FDS6673BZ封装焊盘图
在线购买FDS6673BZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS6673BZ | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6673BZ 晶体管, MOSFET, P沟道, -14.5 A, -30 V, 0.0065 ohm, -10 V, -1.9 V | 搜索库存 |
替代型号FDS6673BZ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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