FQP6N60C
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQP6N60C中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 5.50 A
通道数 1
漏源极电阻 2.00 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 5.50 A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 810pF @25VVds
额定功率Max 125 W
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQP6N60C引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQP6N60C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQP6N60C 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 600V 5.5A 2ohms | 当前型号 | 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STP55NF06 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ | 功能相似 | MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQP6N60C和STP55NF06的区别 |
| 型号： STP5NK100Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 1kV 3.5A 3.7Ω | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 V | FQP6N60C和STP5NK100Z的区别 |
| 型号： STP80NF10 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 100V 80A 15mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQP6N60C和STP80NF10的区别 |