FDP55N06
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDP55N06中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.018 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 114 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 55.0 A
上升时间 130 ns
输入电容Ciss 1510pF @25VVds
额定功率Max 114 W
下降时间 95 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 114W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDP55N06引脚图与封装图
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在线购买FDP55N06
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDP55N06 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP55N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 60 V, 0.018 ohm, 10 V, 2 V | 搜索库存 |
替代型号FDP55N06
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDP55N06 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 60V 55A 22mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP55N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 60 V, 0.018 ohm, 10 V, 2 V | 当前型号 |
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| 型号： STP60NF06 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 60V 60A 16mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP60NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V | FDP55N06和STP60NF06的区别 |
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