FQP9N30
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQP9N30中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 300 V
额定电流 9.00 A
通道数 1
漏源极电阻 450 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 98 W
漏源极电压Vds 300 V
漏源击穿电压 300 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 9.00 A
上升时间 120 ns
输入电容Ciss 750pF @25VVds
额定功率Max 98 W
下降时间 48 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 98W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
宽度 4.7 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQP9N30引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQP9N30
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQP9N30 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 300V 9A 450mohms | 当前型号 | 300V N沟道MOSFET 300V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STP12NK30Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 300V 9A 400mohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP12NK30Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 300 V, 400 mohm, 10 V, 3.75 V | FQP9N30和STP12NK30Z的区别 |