FDS6898A
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS6898A中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 9.40 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.01 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 1 V
输入电容 1.82 nF
栅电荷 16.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 9.40 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 1821pF @10VVds
额定功率Max 900 mW
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS6898A引脚图与封装图
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在线购买FDS6898A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS6898A | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6898A. 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 9.4 A, 20 V, 14 mohm, 4.5 V, 1 V | 搜索库存 |
替代型号FDS6898A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS6898A 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 20V 9.4A 14mohms 1.82nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6898A. 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 9.4 A, 20 V, 14 mohm, 4.5 V, 1 V | 当前型号 |
| 型号： FDS6898A_NF40 品牌： 飞兆/仙童 封装： 8-SOIC N-CH 20V 9.4A | 类似代替 | MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8-SOIC | FDS6898A和FDS6898A_NF40的区别 |
| 型号： PHKD6N02LT,518 品牌： 恩智浦 封装： 8-SOIC Dual N-Channel 20V 10.9A | 功能相似 | 双 N 通道 MOSFET，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors | FDS6898A和PHKD6N02LT,518的区别 |