FQPF5N30
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQPF5N30中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 300 V
额定电流 3.90 A
漏源极电阻 900 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 35W Tc
漏源极电压Vds 300 V
漏源击穿电压 300 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 3.90 A
输入电容Ciss 430pF @25VVds
耗散功率Max 35W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FQPF5N30引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQPF5N30
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQPF5N30 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220F N-Channel 300V 3.9A 900mohms | 当前型号 | 300V N沟道MOSFET 300V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FQPF7N30 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 300V N-Channel MOSFET | FQPF5N30和FQPF7N30的区别 |