锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

FCU900N60Z

FCU900N60Z

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCU900N60Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 0.82 ohm, 10 V, 2.5 V

Description

SuperFET®II is, ’s proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.

Features

• 675V @TJ = 150oC

• Max. RDSon = 900mΩ

• Ultra Low Gate Charge Typ. Qg = 13nC

• Low Effective Output Capacitance Typ. Coss.eff = 49pF

• 100% Avalanche Tested

• ESD Improved Capacity

FCU900N60Z中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.82 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 52 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 4.5A

上升时间 5.3 ns

输入电容Ciss 710pF @25VVds

额定功率Max 52 W

下降时间 11.9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 52W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.8 mm

宽度 2.5 mm

高度 6.3 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

FCU900N60Z引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FCU900N60Z
型号 制造商 描述 购买
FCU900N60Z Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCU900N60Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 0.82 ohm, 10 V, 2.5 V 搜索库存