
额定电压DC 150 V
额定电流 37.0 A
漏源极电阻 32.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
输入电容 2.80 nF
栅电荷 39.0 nC
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 37.0 A
上升时间 29 ns
输入电容Ciss 2800pF @25VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 29 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDP2552 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-220 N-Channel 150V 37A 32mohms 2.8nF | 当前型号 | N沟道 150 V 漏源导通电阻 32 mohms to-220 ultrafet | 当前型号 | |
型号: IRFZ14PBF 品牌: 威世 封装: TO-220AB N-Channel 60V 10A 200mΩ | 功能相似 | 功率MOSFET Power MOSFET | FDP2552和IRFZ14PBF的区别 | |
型号: PSMN035-150P@127 品牌: 恩智浦 封装: | 功能相似 | PSMN035-150P@127 | FDP2552和PSMN035-150P@127的区别 |