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FDP2552
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FDP2552中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 150 V

额定电流 37.0 A

漏源极电阻 32.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

输入电容 2.80 nF

栅电荷 39.0 nC

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 37.0 A

上升时间 29 ns

输入电容Ciss 2800pF @25VVds

额定功率Max 150 W

下降时间 29 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDP2552引脚图与封装图
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在线购买FDP2552
型号 制造商 描述 购买
FDP2552 Fairchild 飞兆/仙童 N沟道 150 V 漏源导通电阻 32 mohms to-220 ultrafet 搜索库存
替代型号FDP2552
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDP2552

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-220 N-Channel 150V 37A 32mohms 2.8nF

当前型号

N沟道 150 V 漏源导通电阻 32 mohms to-220 ultrafet

当前型号

型号: IRFZ14PBF

品牌: 威世

封装: TO-220AB N-Channel 60V 10A 200mΩ

功能相似

功率MOSFET Power MOSFET

FDP2552和IRFZ14PBF的区别

型号: PSMN035-150P@127

品牌: 恩智浦

封装:

功能相似

PSMN035-150P@127

FDP2552和PSMN035-150P@127的区别