FQB3N40TM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQB3N40TM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 400 V
额定电流 2.50 A
通道数 1
漏源极电阻 3.4 Ω
极性 N-CH
耗散功率 3.13 W
漏源极电压Vds 400 V
漏源击穿电压 400 V
连续漏极电流Ids 2.50 A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 230pF @25VVds
额定功率Max 3.13 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3.13W Ta, 55W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FQB3N40TM引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQB3N40TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQB3N40TM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-CH 400V 2.5A | 当前型号 | N沟道 400V 2.5A | 当前型号 |
| 型号： 2SK2403 品牌： 三洋 封装： | 功能相似 | N-Channel Silicon MOSFET | FQB3N40TM和2SK2403的区别 |