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FDFC3N108
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FDFC3N108中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 3.00 A

漏源极电阻 70.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 -

输入电容 355 pF

栅电荷 3.50 nC

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 3.00 A

上升时间 7.00 ns

输入电容Ciss 355pF @10VVds

额定功率Max 700 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDFC3N108引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDFC3N108 Fairchild 飞兆/仙童 N沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET与肖特基二极管 N-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode 搜索库存