FJP5355TU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FJP5355TU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 5.00 A
极性 NPN
耗散功率 50 W
集电极击穿电压 900 V
击穿电压集电极-发射极 440 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 7 @2.5A, 2V
额定功率Max 50 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.1 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FJP5355TU引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FJP5355TU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FJP5355TU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 NPN 500V 5A 50W | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Silicon | 当前型号 |
| 型号： MJE13005 品牌： 摩托罗拉 封装： TO-220 | 功能相似 | TRANS NPN 400V 4A TO-220 | FJP5355TU和MJE13005的区别 |
| 型号： MJE13005LEADFREE 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | TO-220 NPN 400V 4A | FJP5355TU和MJE13005LEADFREE的区别 |
| 型号： JE-1 品牌： 摩托罗拉 封装： | 功能相似 | Power Bipolar Transistor, 4A IC, 400V VBRCEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | FJP5355TU和JE-1的区别 |