FQU4N20TU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQU4N20TU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 3.00 A
漏源极电阻 1.40 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta, 30W Tc
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
输入电容Ciss 220pF @25VVds
耗散功率Max 2.5W Ta, 30W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FQU4N20TU引脚图与封装图
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在线购买FQU4N20TU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQU4N20TU | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 200V 3A 3Pin3+Tab IPAK Rail | 搜索库存 |
替代型号FQU4N20TU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQU4N20TU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-251 N-Channel 200V 3A 1.4ohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 200V 3A 3Pin3+Tab IPAK Rail | 当前型号 |
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