FDS6575
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS6575中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -10.0 A
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0085 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
输入电容 4.95 nF
栅电荷 53.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 4951pF @10VVds
额定功率Max 1.2 W
下降时间 78 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS6575引脚图与封装图 
FDS6575引脚图
FDS6575封装焊盘图
在线购买FDS6575
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS6575 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6575 晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -20 V, 0.0085 ohm, -4.5 V, -600 mV | 搜索库存 |
替代型号FDS6575
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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