FQD12P10TM_F085
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQD12P10TM_F085中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 P-CH
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 9.4A
输入电容Ciss 800pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FQD12P10TM_F085引脚图与封装图
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在线购买FQD12P10TM_F085
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQD12P10TM_F085 | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET P-CH 100V 9.4A Automotive 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号FQD12P10TM_F085
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQD12P10TM_F085 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252-3 P-CH 100V 9.4A | 当前型号 | Trans MOSFET P-CH 100V 9.4A Automotive 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： FDD050N03B 品牌： 飞兆/仙童 封装： DPAK N-CH 30V 90A | 类似代替 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FQD12P10TM_F085和FDD050N03B的区别 |