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FJP5021RV
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FJP5021RV中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 50 W

增益频宽积 18 MHz

击穿电压集电极-发射极 500 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 15 @600mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 50

额定功率Max 50 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 9.9 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.2 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

FJP5021RV引脚图与封装图
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FJP5021RV Fairchild 飞兆/仙童 Bipolar Transistors - BJT 800V/500V/5A/NPN 搜索库存