FDD6685
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD6685中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -40.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.014 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 52 W
输入电容 1.71 nF
栅电荷 17.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids -40.0 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 1715pF @15VVds
额定功率Max 1.6 W
下降时间 21 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 52W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDD6685引脚图与封装图
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在线购买FDD6685
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDD6685 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6685 晶体管, MOSFET, P沟道, -40 A, -30 V, 0.014 ohm, -10 V, -1.8 V | 搜索库存 |
替代型号FDD6685
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDD6685 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 P-Channel -30V -40A 20mohms 1.71nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6685 晶体管, MOSFET, P沟道, -40 A, -30 V, 0.014 ohm, -10 V, -1.8 V | 当前型号 |
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